Western Digital utvecklar flashminne för att konkurrera med optan

Western Digital arbetar med sitt eget flashminne med låg latens som kommer att erbjuda högre prestanda och uthållighet jämfört med konventionell 3D NAND, i slutändan designad för att konkurrera med Intel Optane.

Western Digitals nya minne med LLF-teknik kommer att tävla mot Z-NAND och Optane

Vid denna veckans evenemang "Storage Field Day" diskuterade Western Digital deras nya minne med låg latens för närvarande under utveckling. Tekniken är tänkt att passa någonstans mellan 3D NAND och konventionell DRAM, liknande Intels Optane och Samsungs Z-NAND. Enligt Western Digital kommer ditt LLF-minne att ha en åtkomsttid "inom mikrosekundområdet", med 1 bit per cell och 2 bitar per cellarkitektur.

Tillverkaren medger att dess nya LLF-minne kommer att kosta 10 gånger mindre än DRAM, men 20 gånger mer än 3D NAND-minne (åtminstone enligt nuvarande uppskattningar) vad gäller priser per GB, så det är troligt att det bara kommer att användas av Välj applikationer som är inriktade på avancerade datacenter eller arbetsstationer, liknande det som Optane och Z-NAND redan erbjuder.

Western Digital avslöjar inte alla detaljer om sitt flash-minne med låg latens och det är omöjligt att säga om det har något att göra med Toshibas låga latens 3D XL-Flash NAND tillkännagav förra året. Naturligtvis är företaget ovilliga att prata om riktiga produkter baserade på deras LLF-minne, eller när de kommer att finnas tillgängliga. På grund av de ovan beskrivna kostnaderna är det svårt att föreställa sig att dessa nya minnen når den vanliga användaren på kort sikt.

Anandtech typsnitt