Toshiba lanserar xl-minnen nästa år

Den japanska multinationella tillkännagav i det senaste Flash Memory Summit- uppgifterna om sina nya XL-FLASH lagringslösningar och idag vet vi lite mer om dem. Vi tittar närmare på Toshibas strategi och ny teknik som ytterligare oskärmar skillnaden mellan NAND och DRAM-minne .

Toshiba XL-FLASH Storage Solutions för tidigt 2020

Dessa lagringslösningar är Toshibas direkta svar på Samsungs Z-NAND-minne och Intels 3D XPoint . De sticker ut för att vara SLC- typ (Single Level Cells, på spanska) , det vill säga, de kommer bara att lagra en bit per cell, så de blir något mindre, men mycket mer pålitliga och med lägre latens.

De minsta minnen som gjorts med denna struktur är 128 GB och kommer att delas upp i 16 plan. Detta kommer att öka förmågan att arbeta parallellt, särskilt jämfört med andra 3D NAND- baserade minnen. I gengäld kommer varje sida att vara bara 4 kB stor , ett ganska lågt antal jämfört med dess direkta konkurrens.

Å andra sidan, för att kompensera för denna droppe, har det visat sig att läsatiden är mindre än 5 um . Om vi ​​sätter det i perspektiv med 50μs av dess 3D TLC , är detta en stor förbättring.

En annan punkt att notera är att dessa modeller kommer att finnas tillgängliga för alla tredjepartsföretag . Till skillnad från Z- SSD- minnen som är exklusiva för Samsung kommer vi att se några minnen under namnet på olika varumärken med Toshiba- teknik.

Vissa företag har redan talat om det och är mycket intresserade av att publicera sina egna modeller. Detta kommer sannolikt att skaka upp minnesmarknaden och som vi alla vet är mer konkurrens bättre för användare.

Montering av dessa lagringslösningar kommer att börja nästa månad och som vi förutspådde i början kommer vi att se deras lansering nästa år.

Tror du att XL-FLASH kan ändra minnesmarknaden? Dela dina idéer här nedan i kommentarrutan.

Anandtech typsnitt