Sk hynix tillkännager sitt nya 8 gb run ddr4-minne tillverkat i 1ynm

Minnesgiganten SK Hynix har meddelat utvecklingen av sitt 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM- minne, vilket innebär att det kan tillverkas med 14 nm och 16 nm litografi. Det nya chipet erbjuder 20% produktivitetsförbättring jämfört med föregående generations 1Xnm motsvarighet och också en förbättring av mer än 15% i energiförbrukning.

Nytt SK Hynix 1Ynm 8 GB DDR4 RAM

Den nya SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM stöder en dataöverföringshastighet på upp till 3 200 Mbps, vilket företaget säger är den snabbaste databehandlingshastigheten på DDR4-gränssnittet. SK Hynix har antagit ett 4-fas timing-schema, som duplicerar klocksignalen för att öka hastigheten och stabiliteten för dataöverföring.

Vi rekommenderar att du läser vår artikel om RAM-minnen med kylfläns eller utan kylfläns

SK Hynix introducerade också sin egenutvecklade " Sense Amp Control " -teknologi för att minska energiförbrukningen och datafel. Med denna teknik kunde företaget förbättra den sensoriska förstärkaren. SK Hynix förbättrade transistorns struktur för att minska risken för datafel, en utmaning som följer med minskningen av tekniken. Företaget har också lagt till en strömförsörjning med låg effekt till kretsen för att undvika onödig energiförbrukning.

Denna 1Gn och 8 GB DDR4 DRAM har optimal prestanda och täthet för företagets kunder, säger SK Hynix Vice President Sean Kim. SK Hynix planerar att börja leverera från första kvartalet nästa år för att aktivt svara på efterfrågan på marknaden. SK Hynix planerar att erbjuda sin 1Ynm-teknologiprocess för servrar och datorer och sedan till andra applikationer som mobila enheter.

Guru3d typsnitt