Samsung tillverkar redan hbm2-minnen från 8 gb till 2,4 gbps

Samsung har tagit ett stort nytt steg i staplad minneteknologi med hög bandbredd, bättre känd som HBM. Det koreanska företaget har redan påbörjat massproduktion av andra generationens HBM2- minnestackar med en kapacitet på 8 GB med en hastighet av 2, 4 Gbps.

Samsung påbörjar produktionen av andra generationens HBM2

Samsung har rapporterat att det redan har startat masstillverkning av sin andra generationens HBM2-minneskip, dessa har en kapacitet på 8 GB per stack och en effektiv driftsfrekvens på 2, 4 Gbps för att påskynda kapaciteten hos nästa generations GPU-baserad superdator.

Stratix 10MX FPGA är Intels första HPC-processor med HBM2-minne

Detta nya andra generationens HBM2-minne fungerar med en spänning på 1, 2 V, vilket möjliggör större energieffektivitet jämfört med den första generationen HBM2 som använde samma spänning, men nådde endast en hastighet på 1, 6 Gbps. Tack vare detta uppnår en enda stack med det nya minnet en bandbredd på 307 GB / s, vilket är nästan tio gånger mer än GDDR5-minnet som har använts under de senaste åren på nästan alla grafikkort på marknaden.

För att möjliggöra detta har TSV (Through Silicon Via) -teknologi använts för att göra mer än 5 000 anslutningar per matris, något som inte har varit lätt att uppnå med framgång i ett så litet paket och som visar Samsungs ledarskap.

På detta sätt möjliggör Samsung en ny generation grafikkort med en minnesbandbredd på upp till 1, 2 TB / s, vilket kommer att öka kapaciteten kraftigt. För närvarande förväntas inte spelkort använda den nya tekniken, för dem väntar GDDR6.

Techpowerup typsnitt