Samsung talar om sin teknik v

Nyligen hölls Samsung SSD Forum-evenemang i Japan, där det sydkoreanska företaget avslöjade de första detaljerna om sitt nästa 96-lagers V-NAND- minneenhet baserat på QLC- teknik.

Samsung ger de första detaljerna i sitt 96-lager V-NAND QLC-minne

Användningen av V-NAND QLC-minne över V-NAND TLC erbjuder en 33% högre lagringstäthet och, därför, en lägre kostnad för lagring per GB, något mycket viktigt om SSD: er ska ersätta helt mekaniska hårddiskar en dag. De första Samsung SSD: erna som använder sitt V-NAND QLC-minne kommer att vara modeller med hög kapacitet för de kunder som behöver lagra en stor mängd data, och som kanske inte är intresserade av maximal prestanda, som de första chips i denna typ kommer att ligga bakom de som är baserade på TLC i fördelar.

Vi rekommenderar att du läser vårt inlägg om de bästa SSD: er för närvarande SATA, M.2 NVMe och PCIe

Samsung har öppet arbetat med U.2 SSD-enheter med ultrahög kapacitet baserat på V-NAND QLC-minne i över ett år. Dessa enheter kommer att användas för WORM (skriv en gång, läs många) applikationer som inte är optimerade för snabbskrivning, men klart överträffar HDD-baserade matriser. Samsung räknar med att de första NVMe-enheterna med QLC erbjuder sekventiella läshastigheter på upp till 2500 MB / s, såväl som upp till 160K slumpvis lästa IOPS.

En annan rad av Samsung-produkter baserade på V-NAND QLC-teknik kommer att vara konsument-SSD: er med kapacitet större än 1 TB. Dessa enheter använder ett SATA-gränssnitt och erbjuder sekventiell läs- och skrivmängd på cirka 520 MB / s. Samsung förväntar sig inte att QLC V-NAND kommer att ersätta TLC V-NAND som den primära typen av flashminne när som helst snart. NAND QLC kräver dyrare styrenheter, med betydligt högre bearbetningsmöjligheter, för att säkerställa tillräckligt motstånd.

Anandtech typsnitt