Samsung påbörjar massproduktion av eufs 3.0-moduler

Samsung meddelade idag att det har börjat massproducera branschens första 512 GB eUFS 3.0 integrerade universella flash-lagringsmoduler för nästa generations mobila enheter.

Nästa generations smartphones har kapacitet upp till 1 TB tack vare eUFS 3.0

I linje med den senaste eUFS 3.0-specifikationen erbjuder det nya Samsung-minnet dubbelt så hög hastighet som föregående eUFS (eUFS 2.1), vilket möjliggör en oöverträffad användarupplevelse på framtida smartphones med stora skärmar med hög upplösning på två gånger tredubbla lagringskapaciteten på smartphones.

Samsung producerade branschens första UFS-gränssnitt med eUFS 2.0 i januari 2015, vilket var 1, 4 gånger snabbare än tidens mobilminnestandard, känd som Integrated Media Card (eMMC) 5.1. På bara fyra år kommer företagets nya eUFS 3.0 att matcha prestandan för dagens ultrabook-bärbara datorer.

Samsungs 512GB eUFS 3.0 staplar åtta av företagets femte generationens 512-gigabit (Gb) V-NAND-matriser och integrerar en högpresterande styrenhet. Med 2 100 megabyte per sekund (MB / s) fördubblar den nya eUFS den sekventiella läshastigheten för Samsungs senaste eUFS-minne (eUFS 2.1) som tillkännagavs i januari. Läshastigheten för den nya lösningen är fyra gånger snabbare än för en SATA solid state-enhet (SSD) och 20 gånger snabbare än dagens microSD-kort.

Skrivhastigheten är upp till 410 MB / s, vilket motsvarar en aktuell SATA SSD. Det beräknas också 63 000 och 68 000 input / output-operationer per sekund (IOPS).

Samsung planerar också att tillverka 1TB eUFS 3.0-moduler under andra halvåret.

Techpowerup typsnitt