Samsung påbörjar produktionen av sina nya emramminnen

Samsung Electronics meddelade idag att det har startat serieproduktion av sina nya eMRAM- minnen med en 28-nanometer tillverkningsprocess (FD-SOI).

Samsungs eMRAM-minnen lovar att revolutionera branschen

MRAM-minne har utvecklats under många år och det är icke-flyktigt magnetiskt RAM, vilket innebär att det inte förlorar data när det inte har någon ström, som det gör med normalt RAM idag.

Samsungs 28FDS-baserade eMRAM-lösning erbjuder enastående effekt- och hastighetsfördelar till en lägre kostnad. Eftersom eMRAM inte kräver en tydlig cykel innan du skriver data är skrivhastigheten ungefär tusen gånger snabbare än eFlash. Dessutom använder eMRAM lägre spänningar än Flash-minnen och förbrukar inte elektrisk ström i av-läge, vilket resulterar i hög energieffektivitet.

Fördelarna med minnen som används idag som RAM- och Flash-minnen är revolutionerande, med latenser på 1ns, högre hastighet och större motstånd. EMRAM- minnen var utformade för att ersätta det nuvarande RAM-minnet och Flash NAND-minnen, även om vi därför måste vänta lite.

Det sägs att de första modulerna som skapats av Samsung kommer att ha en mycket begränsad kapacitet. Det koreanska företaget har inte velat ge för mycket information om modulerna de tillverkar, men avsikten är att börja testa en 1 GB-modul före utgången av 2019. Senare planerar Samsung också att göra eMRAM med sin 18FDS-process, liksom noder baserat på mer avancerade FinFET: er.

Detta kan vara födseln av en ny era när det gäller datorlagring. Vi kommer att följa dess utveckling.

TechpowerupAnandtech typsnitt