Intels mram-minne är redo för massproduktion

En EETimes- rapport visar Intels MRAM (Magnetoresistive Random Access Access) som är redo för tillverkning i stor volym. MRAM är en icke-flyktig minneteknologi, vilket innebär att den kan behålla information även om det är strömförlust, vilket gör det mer som en lagringsenhet än standard RAM.

MRAM lovar att ersätta DRAM- och NAND Flash-minnen

MRAM- minne utvecklas för att ersätta DRAM (RAM) -minne och NAND-flashminne.

MRAM lovar att vara mycket lättare att tillverka och erbjuda överlägsna prestanda priser. Det faktum att MRAM har visat sig kunna uppnå 1 ns responstid, bättre än de för närvarande accepterade teoretiska gränserna för DRAM, och mycket högre skrivhastigheter (upp till tusentals gånger snabbare) jämfört med NAND-flashteknik, är orsakerna till att denna typ av minne är så viktigt.

Det kan behålla information i upp till 10 år och motstår 200 grader av temperatur

Med nuvarande funktioner möjliggör MRAM datalagring på 10 år vid 125 grader och en hög grad av motstånd. Förutom det höga motståndet, har den integrerade 22nm MRAM-tekniken rapporterats ha en bithastighet över 99, 9%, en häpnadsväckande prestation för en relativt ny teknik.

Det är okänt exakt varför Intel använder en 22 nm-process för att tillverka dessa minnen, men vi kan intuitera att det inte är att mätta produktionen vid 14 nm, vilket är den som används av dess CPU-processorer. De har inte heller kommenterat hur länge vi kommer att behöva vänta tills vi ser detta minne i aktion för PC-marknaden.

Techpowerup typsnitt